基于BP神经网络的LED可靠性模型研究
Reliability Model of LEDs Based on Artificial Neural Network作者机构：发光材料与器件国家重点实验室华南理工大学广东广州510640
出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期：2015年第36卷第8期
页 面：962-968页
核心收录：
学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学]
基 金：广东省战略性新兴产业专项(2011A081301017 2012A080304012 2012A080304001) 广州市科技计划(2013J4300021)资助项目
摘 要：根据LED可靠性与相关参数的映射关系,建立拓扑结构为6-12-1的BP神经网络。以实测白光LED芯片的理想因子、结温、色温漂移等参数为输入量,以寿命为输出量,计算模型精度。研究结果表明,该模型有良好的外推能力及鲁棒性,可在短时间内成功预测LED寿命,神经网络训练结果相关系数为99.8%,检验组误差小于3%。
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