NJFET器件饱和电流影响因子及工艺优化研究
Research on Saturated Current Influencing Factor and Technology Optimization of NJFET作者机构：无锡中微晶园电子有限公司江苏无锡214035
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2022年第52卷第6期
页 面：1061-1064页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：针对N沟道结型场效应晶体管(NJFET)在工艺制造过程中极易出现饱和电流一致性差的问题,从一次氧化、栅注入和栅推结等方面对饱和电流工艺影响因子开展了实验研究,并提出了工艺优化和控制方法,使器件饱和电流参数得到有效控制,一致性由6.90%改善至0.38%,圆片对档率由85%提升到96%以上,提升了器件产品质量,降低了成本。
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