近红外通讯波段的石墨烯/锗肖特基结光电探测器
Graphene/germanium Schottky Junction Photodetectors in the Near-infrared Communication Band作者机构:中国电子科技集团公司第四十八研究所薄膜传感技术湖南省国防重点实验室长沙410111 高性能智能传感器及检测系统湖南省重点实验室长沙410111
出 版 物:《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)
年 卷 期:2022年第51卷第12期
页 面:240-248页
核心收录:
学科分类:080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
基 金:湖南省重点领域研发计划(No.2019GK2101)
摘 要:制作了一种近红外通讯波段的石墨烯/锗肖特基结光电探测器。采用化学气相沉积法制备高质量石墨烯,通过湿法转移法转移到n型锗表面,获得高性能石墨烯/锗的肖特基结器件。仿真与实验结果表明,石墨烯透明电极与锗衬底形成良好的肖特基接触,大大提升了器件的光生载流子收集效率。该器件在无光照条件下,整流比为5.3×10^(2),在光强为0.3 mW/cm^(2)的1550 nm近红外光的照射下,开关比为102,响应度和探测率分别可达635.7 mA/W、9.8×10^(10)Jones。同时,器件具备较快的响应速度,在3 dB带宽处上升和下降时间分别为40μs和35μs。研究结果展示了高性能石墨烯/锗光电探测器在近红外光电系统中具有潜在的应用前景。