基于DBR结构的蓝光及白光GaN LED的制备及光学性能改善

作     者：胡涛 朱友华 钟岱山 王美玉 李毅 Hu Tao;Zhu Youhua;Zhong Daishan;Wang Meiyu;Li Yi

作者机构：南通大学信息科学技术学院江苏南通226019 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2023年第48卷第1期

页      面：18-24页

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(61874168) 江苏省产学研项目(BY2022236) 企业横向项目(21ZH626,22ZH003) 

主　　题：GaN发光二极管(LED) 离子辅助沉积 分布式布拉格反射镜(DBR) 光输出功率 平均反射率 

摘      要：为改善GaN基发光二极管(LED)的光学性能,设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO_(2)/Ti3O5分布式布拉格反射镜(DBR)结构的蓝光和白光GaN LED。制备了具有不同周期数的DBR结构,其中,17周期DBR结构在400~660 nm波长内平均反射率超过99.3%,其反射带宽度达到231 nm。测试并比较了封装后的基于DBR结构的LED芯片的电学与光学特性。通过电流-光输出功率(I-L)特性测试,发现具有17周期DBR结构的蓝光LED的光输出功率比5周期的提升了6.7%,而白光LED的光输出功率则提升了9.7%。在约100 mA的直流注入电流下,蓝光和白光LED的最大光输出功率分别达到134.9 mW和108.4 mW。