SiO_2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性

作     者：赵晓锋 温殿忠 王天琦 丁玉洁 ZHAO Xiao-feng;WEN Dian-zhong;WANG Tian-qi;DING Yu-jie

作者机构：黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室哈尔滨150080 黑龙江大学集成电路重点实验室哈尔滨150080 

出 版 物：《纳米技术与精密工程》 (Nanotechnology and Precision Engineering)

年 卷 期：2011年第9卷第3期

页      面：256-259页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(606760446 1006057) 黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室项目(DZZD20100013) 

主　　题：纳米多晶硅薄膜 低压化学气相沉积(LPCVD) 迁移率 

摘      要：采用低压化学气相沉积(LPCVD)系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度为620℃,沉积薄膜厚度分别为30 nm、63 nm和98 nm.对不同薄膜厚度的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、800℃和900℃下进行高温真空退火.通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征,随着薄膜厚度的增加,沉积态薄膜结晶显著增强,择优取向为晶向.通过HP4145B型半导体参数分析仪对沉积态掺硼纳米多晶硅薄膜电阻I-V特性测试发现,随着薄膜厚度的增加,薄膜电阻率减小,载流子迁移率增大.