多晶体二次电子的角度分布

作     者：谢爱根 张健 吴红艳 王铁邦 Xie Aigen;Zhang Jian;Wu Hongyan;Wang Tiebang

作者机构：南京信息工程大学数理学院南京210044 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2011年第23卷第6期

页      面：1663-1667页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080102[工学-固体力学] 0801[工学-力学（可授工学、理学学位）] 

基　　金：南京信息工程大学科研基金项目(S8108197001) 

主　　题：角度分布 二次电子 高能电子 多晶 

摘      要：根据二次电子发射的主要物理过程,推导了内二次电子到达多晶表面并逸出的几率的角度分布、斜射入多晶的高能原电子产生的二次电子的角度分布和由背散射电子产生的二次电子的角度分布。同时,推导了高能原电子轰击多晶产生的二次电子的角度分布公式,该公式表明多晶的二次电子遵循余弦分布,且与原电子的入射角无关。分析结果表明:在内二次电子最大逸出深度范围内,如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数是常数,则多晶的二次电子的角度分布遵循余弦分布;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数越来越少,则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更慢;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子越来越多,则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更快。