“宽禁带半导体变流技术及其应用”专题特约主编寄语
Foreword from the Guest Editor in Chief of Special Columns for "Wide Bandgap Semiconductor Convertion Technology and its Application"出 版 物：《电气传动》 (Electric Drive)
年 卷 期：2023年第53卷第1期
页 面：3-3页
学科分类：080804[工学-电力电子与电力传动] 0808[工学-电气工程] 08[工学]
主 题：宽禁带半导体 临界击穿电场 宽禁带器件 外延材料 SiC单晶 抗辐照 GaN 变流技术
摘 要：以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料由于其宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,成为制作大功率、高频、高温及抗辐照电子器件的理想替代材料。随着SiC单晶生长技术、外延材料工艺和GaN异质结外延技术的不断成熟,宽禁带半导体功率器件的研制和应用在近年来得到迅速发展,人们对SiC在新能源汽车、电力能源等大功率、高温、高压场合,以及GaN在快充和信息电子领域的应用前景寄予厚望。深入探索宽禁带器件的材料及应用特性,最大限度发挥宽禁带器件的性能,成为宽禁带半导体变流技术及其应用的重要研究方向。
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