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对“四论注入光敏器件的物理基础”一文的商榷

Discussion on“fourth comment on physical elements for injection photodetector”

作     者：石仲斌 SHI Zhong-bin

作者机构：中国舰船研究院微电子技术研究中心武汉430072 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：1999年第20卷第6期

页      面：441-445页

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：光敏三极管 注入光敏器件 光电二极管 

摘      要：利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。

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