碳化硅MOSFET并联特性分析
Characteristics Analysis for SiC MSOFET in Parallel作者机构：广东美的制冷设备有限公司中央研究院电力电子技术研究所上海201203
出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)
年 卷 期：2022年第56卷第5期
页 面：137-140页
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：金属氧化物半导体场效应晶体管 器件模型 并联 互感
摘 要：由于碳化硅器件的耐流限制,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在大功率应用领域通常需并联连接。然而,碳化硅MOSFET开关速度快,使之相比于硅基MOSFET和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对寄生参数更加敏感,在并联连接时尤其是动态过程中实现均流也成为更大的挑战。器件并联工作中,由于不均流造成的高电流过冲和高损耗可能造成器件损坏。此处介绍了一种自建器件模型,并基于该模型进行器件并联的仿真。互感在电路分析中,通常会被忽略,通过实验和仿真的对比,论证了互感会对均流效果产生重要影响。
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