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利用CMOS技术实现高集成度射频电路

Highly Intergrated CMOS RF Circuit

作     者:Patrick N.Morgan 

作者机构:Silicon Laboratories公司 

出 版 物:《世界电子元器件》 (Global Electronics China)

年 卷 期:2003年第8期

页      面:36-38页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 080904[工学-电磁场与微波技术] 0810[工学-信息与通信工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080402[工学-测试计量技术及仪器] 0804[工学-仪器科学与技术] 081001[工学-通信与信息系统] 

主  题:CMOS 集成度 射频电路 GSM GPRS 移动电话 

摘      要:CMOS制造工艺过去主要用于数字器件,并在此市场取得绝对优势。但在强大的需求带动下,CMOS技术也不断进步,目前已能提供更高集成度、更低功率消耗和更快工作速度,其应用已经扩展到GSM/GPRS移动电话模拟射频电路领域。本文介绍两个应用于移动电话市场的射频器。

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