电沉积工艺对p-CuSCN薄膜结构及半导体性质的影响

作     者：付亚楠 靳正国 武卫兵 FU Yanan;JIN Zhengguo;WU Weibing

作者机构：天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津300072 

出 版 物：《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)

年 卷 期：2006年第34卷第9期

页      面：1060-1065页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 

基　　金：天津市重点基础研究资助项目(033802311) 

主　　题：p型硫氰酸亚铜薄膜电沉积 沉积电位 Mott-Schottky曲线 

摘      要：以乙二胺四乙酸二钠(ethylenediamintetraaceticaciddisodium,EDTA)为鳌合剂,在水溶液络合体系中采用电沉积法制备了CuSCN半导体薄膜,应用电子隧穿成核和表面态热激发机理以及Mott-Schottky曲线分析了沉积电位和温度对薄膜结构和半导体性质的影响。结果表明:室温下,价带电子隧穿产生的电流与表面态空穴热激发电流在同一数量级,表面态空穴热激发电流不随电位改变,价带电子隧穿电流的变化趋势反映了整体电流的变化。随着阴极电位的升高,由于价带电子的隧穿几率变化,晶粒尺寸先减小后增大;半导体空穴浓度减小,p型性质减弱。由于沉积反应受活化能控制,在高温条件下主要表现为晶粒生长,导致晶粒尺寸增大,薄膜致密度降低;同时也使半导体空穴浓度减小,p型性质减弱。