SiC薄膜制备MEMS结构

作     者：王煜 郭辉 张海霞 田大宇 张国炳 李志宏 Wang Yu;Guo Hui;Zhang Haixia;Tian Dayu;Zhang Guobing;Li Zhihong

作者机构：北京大学微电子研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室北京100871 

出 版 物：《中国机械工程》 (China Mechanical Engineering)

年 卷 期：2005年第16卷第14期

页      面：1310-1312页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：北京市自然科学基金资助项目(4052017) 

主　　题：SiC MEMS 谐振器 残余应力检测结构 

摘      要：采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构。对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐蚀特性。对SiC材料的力学特性进行了研究。深入探讨了退火工艺、薄膜硅碳原子比对SiC薄膜力学特性的影响,同时对薄膜硅碳原子比与制备工艺参数(包括硅烷、甲烷流量)之间的关系进行了实验研究。