退火温度对铌掺杂氧化铟透明薄膜性能的影响

作     者：林剑荣 梁瑞斌 彭璟怡 陈建文 肖鹏 LIN Jian-rong;LIANG Rui-bin;PENG Jing-yi;CHEN Jian-wen;XIAO Peng

作者机构：佛山科学技术学院物理与光电工程学院广东佛山528000 佛山科学技术学院粤港澳智能微纳光电技术联合实验室广东佛山528000 佛山科学技术学院电子信息工程学院广东佛山528000 

出 版 物：《佛山科学技术学院学报（自然科学版）》 (Journal of Foshan University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2022年第40卷第6期

页      面：34-41页

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61804029) 广东省科技计划项目(2022A0505020022) 粤港澳智能微纳光电技术联合实验室资助项目(2020B1212030010) 

主　　题：磁控溅射 InNbO 透明薄膜 退火处理 透过率 

摘      要：采用磁控溅射法制备了铌(Nb)掺杂氧化铟(In_(2)O_(3))透明薄膜(InNbO),研究了不同退火温度对薄膜的形貌、结构、光学透过率以及电学性能等的影响。研究表明,所制备的薄膜表面致密均匀、无明显孔隙与裂痕,薄膜呈现结晶相,无明显晶格畸变,在波长380~780 nm的可见光范围内透过率约86%,拟合的禁带宽度E_(g)随薄膜退火温度升高而增大,当薄膜进行400℃退火后,E_(g)为3.89 eV,未退火时薄膜电阻率最低(约9.4×10^(-2)Ω·cm),随退火温度升高薄膜的电阻率表现为先增大后减小。