硅光电倍增管在辐射探测领域中的应用进展

作     者：仵欣杰 叶海福 艾杰 张也平 Wu Xinjie;Ye Haifu;Ai Jie;Zhang Yeping

作者机构：中国工程物理研究院流体物理研究所四川绵阳621000 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2022年第59卷第21期

页      面：42-53页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：中国工程物理研究院院长基金。 

主　　题：硅光电倍增管 辐射探测 雪崩光电二极管 综述 

摘      要：光子探测技术在高能物理、天体物理、医学成像等学科领域中扮演着重要的角色。特别是在辐射探测应用中,实现单光子高水平的灵敏探测一直是近几十年以来光电探测器发展的最终目的。硅光电倍增管(SiPM)技术作为理想固态光子探测器研究领域前所未有的尝试,凭借其出色的性能(增益高、偏置电压低、时间响应快速、对磁场不敏感等),吸引着越来越多研究者的关注。围绕SiPM的结构原理,回顾、分类、总结了SiPM在结构、性能及应用等方面近年来取得的研究进展。