1064nm连续激光辐照硅基APD探测器电学性能退化的研究

作     者：方飞超 王頔 魏智 金光勇 张艳鹏 FANG Feichao;WANG Di;WEI Zhi;JIN Guangyong;ZHANG Yanpeng

作者机构：长春理工大学物理学院长春130022 

出 版 物：《长春理工大学学报（自然科学版）》 (Journal of Changchun University of Science and Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2022年第45卷第4期

页      面：25-30页

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：吉林省教育厅科学技术项目(JJKH20200731KJ) 吉林省自然科学基金(YDZJ202201ZYTS296) 

主　　题：硅基APD探测器 1064nm连续激光 暗电流 响应度 

摘      要：通过设计合理的实验方案,对1064 nm连续激光辐照硅基APD探测器后电学性能的变化规律进行了实验研究,在实验中,对硅基APD探测器被激光辐照前后的暗电流和响应度进行了监测。研究发现:随着激光功率密度的增加,硅基APD探测器的实际响应度逐渐减小,但硅基APD探测器的测量响应度逐渐变大,并且和暗电流增大的趋势十分相近,因此,可认为随着激光功率密度的增加,在测试输出电流中暗电流作用逐渐大于光电流作用,即硅基APD探测器的暗电流升高是造成其测量响应度增大的主要原因,并且对此现象给出了合理解释。