X射线能量对基于宏孔硅的X射线CsI(Tl)闪烁屏的影响

作     者：王双双 刘春阳 王国政 秦旭磊 Wang Shuangshuang;Liu Chunyang;Wang Guozheng;Qin Xulei

作者机构：长春理工大学物理学院吉林长春130022 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2022年第59卷第17期

页      面：419-424页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：吉林省科技厅技术攻关项目(20190302125GX) 吉林省科技厅重大科技专项(20200501006GX) 吉林省科技厅重点科技研发项目(20210201031GX) 吉林省教育厅2021年度科学技术研究规划重点项目(JJKH20210800KJ) 吉林省产业创新专项资金项目(2019C043-6) 

主　　题：X射线光学 X射线闪烁屏 Geant4 CsI(Tl) 宏孔硅 

摘      要：建立了基于宏孔硅的X射线CsI(Tl)闪烁屏模型,模拟分析了X射线能量对X射线CsI(Tl)闪烁屏光输出的影响。制备了周期为10μm、方孔边长为8μm的X射线闪烁屏,搭建了X射线成像装置,测量了不同X射线源管电压的X射线成像图,采用Matlab软件分析了X射线闪烁屏的光输出情况。研究结果表明,闪烁屏厚度越大,闪烁屏平均灰度值越大,与模拟结果一致。