梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长

作     者：郑剑 张振中 王立昆 韩舜 张吉英 刘益春 王双鹏 姜明明 李炳辉 赵东旭 刘雷 刘可为 单崇新 申德振 ZHENG Jian;ZHANG Zhen-zhong;WANG Li-kun;HAN Shun;ZHANG Ji-ying;LIU Yi-chun;WANG Shuang-peng;JIANG Ming-ming;LI Bing-hui;ZHAO Dong-xu;LIU Lei;LIU Ke-wei;SHAN Chong-xin;SHEN De-zhen

作者机构：发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033 中国科学院大学北京100049 东北师范大学先进光电功能材料研究中心吉林长春130024 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2014年第35卷第9期

页      面：1040-1045页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2011CB302006 2011CB302002) 国家自然科学基金(61376054 11174273 11104265 61177040)资助项目 

主　　题：立方MgZnO 缓冲层 带隙调制 

摘      要：为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。