基于共振隧穿的位移传感器设计
Design of displacement transducer based on resonant tunneling film作者机构：中北大学微米纳米技术研究中心山西太原030051
出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)
年 卷 期：2009年第28卷第2期
页 面：66-67页
核心收录：
学科分类：080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程]
摘 要：运用了一种新效应——介观压阻效应,以A lAs/GaAs/A lAs共振隧穿双势垒(DBRT)结构薄膜作为力敏元件,设计了一种压阻式微位移传感器。通过分析、计算和模拟得到了它的输入、输出特性和灵敏度,把它与同类传感器做了比较,结果显示:DBRT结构可以提高灵敏度、调节灵敏度。为设计介观压阻式微位移传感器提供了理论依据。
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