咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门 收藏

基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门

Generation of C-NOT gate,swap gate and phase gate based on a two-dimensional ion trap

作     者:艾凌艳 杨健 张智明 Ai Ling-Yan Yang Jian Zhang Zhi-Ming(Laboratory of Photonic Information Technology,School of Information and Photoelectronic Science and Engineering,South China Normal University,Guangzhou 510006,China)

作者机构:华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术广东省高校重点实验室广州510006 

出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期:2008年第57卷第9期

页      面:5589-5592页

核心收录:

学科分类:070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金(批准号:60578055) 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2007CB925204)资助的课题~~ 

主  题:囚禁离子 受控非门(C-NOT门) 交换门 相位门 

摘      要:研究了二维囚禁离子与光场相互作用系统中几种基本量子逻辑门的实现方案.通过适当选取激光场与离子内部跃迁频率的失谐量,简化了系统的哈密顿量,并进一步推导出受控非门(C-NOT门)、交换门与相位门的实现方法.在此过程中,系统需满足Lamb-Dicke极限,并要求光场的Rabi振荡频率远远小于离子的振动频率.

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分