硅光探测器紫外响应的改善
Improvement of Ultraviolet Responsivity for Silicon Photodetector
作 者：尹长松 朱晓刚
作者机构：武汉大学物理系武汉430072
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1997年第18卷第7期
页 面：523-526页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程]
主 题：硅光探测器 紫外响应 硅光电管
摘 要：利用透过二氧化硅层进行杂质扩散的方法，获得低表面浓度浅结深并具有漂移自建场的掺杂层，制作最佳厚度的光透射膜，使硅光敏二极管的紫外响应获得改善，得到在254nm波长下响应度达0．18A／W的结果．
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