单片集成电路高台面联线
作者机构：电子工业部第十三研究所
出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期：1997年第13卷第2期
页 面：46-46,63页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：介绍了ＧａＡｓＭＭＩＣ高台面刻蚀制备工艺方法，解决了高低台面联线问题，提高了单片集成电路性能。
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