复合激光损伤CMOS图像传感器实验研究

作     者：朱孟真 刘云 米朝伟 魏靖松 陈霞 田方涛 冯苏茂 王赛 Zhu Mengzhen;Liu Yun;Mi Chaowei;Wei Jingsong;Chen Xia;Tian Fangtao;Feng Sumao;Wang Sai

作者机构：陆军工程大学军械士官学校湖北武汉430075 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2022年第51卷第7期

页      面：217-223页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国防预研基金(30102050101) 国防科研重点项目(KYWHJWJK1702) 

主　　题：光电对抗 复合激光 损伤效能 对比实验 

摘      要：激光是对抗光电侦察的有效方式。为了提高损伤效能,探索了复合激光损伤光电探测器的新思路。分别开展了波长1 064 nm和532 nm、脉宽10 ns的激光及其双波长复合激光,以及波长1 064 nm、脉宽0.4 ms和10 ns激光及其双脉宽复合激光对CMOS图像传感器的损伤效能实验。结果表明,双波长复合激光对CMOS造成严重损伤时的基频光能量是单独1 064 nm激光的77.8%,是单独532 nm激光的62.5%;双脉宽复合激光损伤时,脉宽0.4 ms激光的能量密度降低为单独作用时的1.7%,脉宽10 ns激光的能量密度降低为单独作用时的76.4%。这一发现为多制式复合激光高效光电对抗提供了新的思路和参考。