MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究

作     者：任鹏 刘忠良 叶剑 姜泳 刘金锋 孙玉 徐彭寿 孙治湖 潘志云 闫文盛 韦世强 

作者机构：中国科学技术大学国家同步辐射实验率合肥230029 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2008年第57卷第7期

页      面：4322-4327页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(批准号:10635060) 国家自然科学基金(批准号:10725522)资助的课题~~ 

主　　题：MnxSi1-x磁性薄膜 分子束外延 XRD XANES 

摘      要：利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.