镁掺杂钛酸锶铅钡薄膜的介电调谐性能研究
Dielectric and Tunable Properties of Mg-doped PBST Thin Films作者机构:三峡大学机械与材料学院湖北宜昌443002
出 版 物:《三峡大学学报(自然科学版)》 (Journal of China Three Gorges University:Natural Sciences)
年 卷 期:2012年第24卷第6期
页 面:89-92页
学科分类:081704[工学-应用化学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术]
基 金:国家自然科学基金项目(50902085) 湖北省教育厅项目(Q20081304)
摘 要:采用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出未掺杂和掺杂Mg的(Ba0.5Sr0.5)0.85Pb0.15-TiO3薄膜.采用XRD、SEM和Agilent 4294A精密阻抗分析仪研究了Mg掺杂量对薄膜的结晶性,表面形貌和介电性能的影响.结果表明:随着Mg掺杂量的增加,PBST薄膜的介电常数减小,介电损耗降低,介电调谐量先减少后增加.当Mg掺杂量为0.8mol%时,PBST薄膜具有最大的优值因子.