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镁掺杂钛酸锶铅钡薄膜的介电调谐性能研究

Dielectric and Tunable Properties of Mg-doped PBST Thin Films

作     者:杨英 孙小华 李修能 侯爽 Yang Ying;Sun Xiaohua;Li Xiuneng;Hou Shuang

作者机构:三峡大学机械与材料学院湖北宜昌443002 

出 版 物:《三峡大学学报(自然科学版)》 (Journal of China Three Gorges University:Natural Sciences)

年 卷 期:2012年第24卷第6期

页      面:89-92页

学科分类:081704[工学-应用化学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 

基  金:国家自然科学基金项目(50902085) 湖北省教育厅项目(Q20081304) 

主  题:钛酸锶铅钡 镁掺杂 溶胶凝胶 介电性能 

摘      要:采用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出未掺杂和掺杂Mg的(Ba0.5Sr0.5)0.85Pb0.15-TiO3薄膜.采用XRD、SEM和Agilent 4294A精密阻抗分析仪研究了Mg掺杂量对薄膜的结晶性,表面形貌和介电性能的影响.结果表明:随着Mg掺杂量的增加,PBST薄膜的介电常数减小,介电损耗降低,介电调谐量先减少后增加.当Mg掺杂量为0.8mol%时,PBST薄膜具有最大的优值因子.

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