一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计

作     者：齐贺飞 王磊 王鑫 王绍权 张梦月 QI Hefei;WANG Lei;WANG Xin;WANG Shaoquan;ZHANG Mengyue

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 

出 版 物：《现代信息科技》 (Modern Information Technology)

年 卷 期：2022年第6卷第12期

页      面：52-55页

学科分类：080904[工学-电磁场与微波技术] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：压控振荡器 可变电容 相位噪声 

摘      要：基于标准CMOS工艺,设计了一款适用于无线通信的基于标准CMOS工艺的频带压控振荡器,该芯片的中心频率2.8 GHz,芯片面积0.5×0.5 mm^(2),典型功耗为11 mA@3.3 V。测试结果表明,在0.8 V~2.5 V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为2.3 GHz~3.3 GHz,通过电容阵列实现了1 GHz的调谐带宽,在2.8 GHz频率时的典型相位噪声为-81 dBc/Hz@10 kHz,压控振荡器的典型增益为40 MHz/V。