小像元InSb红外焦平面器件光电性能仿真

作     者：朱旭波 李墨 何英杰 吕衍秋 Zhu Xubo;Li Mo;He Yingjie;LüYanqiu

作者机构：中国空空导弹研究院河南洛阳471009 红外探测器技术航空科技重点实验室河南洛阳471009 河南省锑化物红外探测器工程技术研究中心河南洛阳471009 

出 版 物：《航空兵器》 (Aero Weaponry)

年 卷 期：2022年第29卷第3期

页      面：61-65页

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 082601[工学-武器系统与运用工程] 08[工学] 082501[工学-飞行器设计] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0826[工学-兵器科学与技术] 082602[工学-兵器发射理论与技术] 0803[工学-光学工程] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 

基　　金：航空科学基金项目(201924012003) 

主　　题：InSb 小像元 红外探测器 电流响应率 串音 Sentaurus TCAD 

摘      要：小像元是InSb红外焦平面器件制备的发展方向之一,但其会对器件的光电流响应和串音产生很大影响。因此使用Sentaurus TCAD软件建立了小像元InSb红外焦平面阵列器件的台面结器件模型、平面结器件模型和外延结构器件模型,采用背照射的3个像素单元的InSb阵列器件仿真了3种器件结构的光电流响应和串音。结果表明,台面结器件和平面结器件可以通过减小器件厚度和增加结深的方法来增加光电流响应和减少串音;外延结构器件可以通过增加吸收层厚度和选择合适的掺杂浓度来改善光电流响应和串音。综合考虑工艺难度影响,对小像元InSb红外焦平面阵列器件,建议采用深离子注入的平面结结构和采用分子束外延制备的厚度和掺杂浓度可控的外延结构。