OTP存储器存储单元内寄生电容对读取阈值的影响
Influence of parasitic capacitance upon the reading threshold of OTP memory作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054
出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)
年 卷 期：2016年第24卷第2期
页 面：82-85页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：在OTP存储器的设计中,基于得到OTP存储器存储单元编程后尽可能大的读取阈值的目的,以提高OTP存储器的编程效率和芯片成品率,采用了消除存储单元内寄生电容的方法,通过对OTP存储器存储单元内带寄生电容和不带寄生电容两种情况下的仿真以及对比,可以发现存储单元内寄生电容的存在会使OTP存储器编程后的读取阈值减少8 kΩ左右,所以在OTP存储器的设计中,应尽可能消除掉存储单元内的寄生电容,获得尽可能大的读取阈值。
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