LD泵浦被动调Q皮秒Nd:YVO_4微片激光器

作     者：杨欢 余锦 张尚 刘洋 张雪 

作者机构：中国科学院光电研究院北京100094 中国科学院大学北京100049 

出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)

年 卷 期：2015年第45卷第11期

页      面：1325-1330页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：微片激光器 被动调Q Nd∶YVO4晶体 半导体可饱和吸收镜 

摘      要：报道了一种新型调Q微片激光器。首次提出了斜泵浦方案,实验中分别采用LD端面垂直泵浦和斜泵浦两种方式,结构简单紧凑。微片采用Nd∶YVO4作为工作物质,半导体可饱和吸收镜(SESAM)为调Q元件。在两种泵浦方式下,都获得了重复频率范围在千赫兹到兆赫兹的皮秒激光脉冲输出。以光纤耦合输出的808 nm LD作为泵浦源,在垂直泵浦的情况下,在420 m W抽运功率下,获得6.40 m W的1064 nm激光输出,脉冲宽度57.8 ps,对应单脉冲能量6 n J,x、y方向的光束质量因子分别为1.18、1.17。在斜泵浦的情况下,在550 m W抽运功率下,获得2.25 m W的1064 nm激光输出,脉冲宽度64.3 ps,对应单脉冲能量17 n J,x、y方向的光束质量因子分别为1.29、1.32。