基于GaN器件的超宽带T/R组件

作     者：无 吴昌勇 周丽 刘英 余雷 钟贵朝 

作者机构：中国电子科技集团公司第二十九研究所 不详 

出 版 物：《中国科技成果》 (China Science and Technology Achievements)

年 卷 期：2022年第23卷第12期

页      面：20-20页

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：T/R组件 有源相控阵 超宽带 微波电路 模拟电路 干扰距离 多功能一体化 军用电子装备 

摘      要：新一代军用电子装备需提升干扰距离,瞬时宽带覆盖多目标,并实现电子战、雷达、通信多功能一体化协同融合,对有源相控阵T/R组件提出了超宽带、大功率、高集成、快速收发等要求.GaN器件具备高功率密度、超宽带等优异特性,相对GaAs体积更小,功率和带宽更大,是实现超宽带大功率T/R组件的必然选择.GaN超宽带T/R组件将大功率微波电路、小信号微波电路、模拟电路、控制电路等多种功能器件集成在一个小体积内,体积较GaAs T/R组件缩小一半、功率提升大于3倍、带宽扩大3倍,但机、电、热一体化集成设计面临诸多难题,亟需开展GaN超宽带T/R组件集成技术研究.