基于多层二硒化钨的高性能场效应晶体管的实验优化和理论模拟

作     者：张义超 赵付来 王宇 王亚玲 沈永涛 冯奕钰 封伟 ZHANG Yichao;ZHAO Fulai;WANG Yu;WANG Yaling;SHEN Yongtao;FENG Yiyu;FENG Wei

作者机构：天津大学材料科学与工程学院天津300354 天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津300072 

出 版 物：《高等学校化学学报》 (Chemical Journal of Chinese Universities)

年 卷 期：2022年第43卷第6期

页      面：166-176页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:52103093,52173078,52130303) 中国博士后科学基金(批准号:2021M702424)资助 

主　　题：微机械剥离法 二维材料 二维过渡金属硫族化合物 载流子迁移率 开关比 

摘      要：采用微机械剥离法制备了基于不同厚度的高质量WSe_(2)纳米片的场效应晶体管(WSe_(2)-FETs),研究了其性能的影响因素.通过调控WSe_(2)纳米片及介电层的厚度、测试温度及退火处理等,结合理论模拟分析,获得了WSe_(2)-FETs的最佳电学性能.最终,基于7层WSe_(2)纳米片的场效应晶体管表现出最优异的电学性能,室温下载流子迁移率可达93.17 cm^(2)·V^(‒1)·s^(‒1);在78 K低温下,载流子迁移率高达482.78 cm^(2)·V^(‒1)·s^(‒1).