Ultrafast Relaxation of Coherent Control Photocurrent in AlGaAs／GaAs Multi Quantum Wells

作     者：林位株 寿倩 刘鲁宁 吴羽 文锦辉 赖天树 

作者机构：StateKeyLaboratoryofOptoelectronicMaterialsandTechnologiesSunYat-SenUniversityGuangzhou510275 

出 版 物：《Chinese Physics Letters》 (中国物理快报（英文版）)

年 卷 期：2005年第22卷第1期

页      面：188-190页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金 广东省自然科学基金 

主　　题：GAAS SEMICONDUCTORS CURRENTS Quantum wells Relaxation time Photocurrent gallium arsenides currents Density matrix Semiconductor materials 

摘      要：We theoretically and experimentally study the ultrafast dynamics of coherent control photocurrent in As-GaAs/GaAs multi quantum wells at room temperature. A ballistic photocurrent relaxation time of similar to200fs is deduced based on the theory of density matrix and is evidenced with the three-colour femtosecond pump-probe measurements.