太赫兹扫描成像在高通量测量铜合金薄膜电导中的应用(特邀)

作     者：朱煜 颜识涵 臧子漪 宋盛星 王洁 茹占强 崔洪亮 宋贺伦 Zhu Yu;Yan Shihan;Zang Ziyi;Song Shengxing;Wang Jie;Ru Zhanqiang;Cui Hongliang;Song Helun

作者机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 中国科学院重庆绿色智能技术研究院重庆400714 中国科学院大学重庆学院重庆400714 吉林大学仪器科学与电气工程学院吉林长春130061 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2022年第51卷第4期

页      面：29-39页

核心收录：

学科分类：0710[理学-生物学] 07[理学] 070302[理学-分析化学] 0804[工学-仪器科学与技术] 0703[理学-化学] 

基　　金：中国科学院科技服务网络计划(KFJ-STS-QYZX-061) 江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目(XYDXX-211)。 

主　　题：材料基因工程 高通量 太赫兹光谱成像 铜合金 电导成像 微区采样 

摘      要：高通量制备与表征对将材料基因组方法应用于先进材料研发制造实践起着关键作用。针对基于材料基因工程的高通量实验技术应用,采用透射式太赫兹扫描成像方法,对样品密度为144个/片的铜合金薄膜材料芯片进行了高通量电导的快速、微区检测。基于Tinkham薄膜透射方程及Fresnel公式的太赫兹光谱成像表征技术,对不同组分含量铜合金薄膜的太赫兹测量结果与四探针测量数据比较,具有一致的趋势。通过太赫兹成像可以进行同一基底上144个高通量组合铜合金样品点电导的半定量比较。对代表性样品点的电导变化趋势与合金组分含量变化趋势,以及微观组织形貌进行分析比较得到相关对应关系,显示出太赫兹检测方法用于微区高通量金属薄膜电导表征方面的巨大潜力,显著提升研发效率。