二硫化钼的电子能带结构和低温输运实验进展
Experimental research progress of electronic band structure and low temperature transport based on molybdenum disulfide作者机构：中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心北京100190 中国科学院大学物理科学学院北京100049 松山湖材料实验室东莞523808
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2022年第71卷第12期
页 面：272-282页
核心收录：
学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0702[理学-物理学]
基 金：国家重点研发计划(批准号:2020YFA0309600,2021YFA1202900) 国家自然科学基金(批准号:11834017,61888102) 中国科学院战略性先导科技专项B(批准号:XDB30000000,XDB33000000) 广东省重点领域研发计划(批准号:2020B0101340001)资助的课题。
摘 要：二硫化钼是一种层状的过渡金属硫族化合物半导体,它在二维自旋电子学、谷电子学及光电子学领域有很多的应用.本综述以二硫化钼为代表,系统介绍其单层、双层及转角双层的堆垛和能带结构;介绍了转角双层莫尔超晶格的制备方法、以及低温电学输运方面的实验进展,例如超导和强关联现象;分析了转角过渡金属硫化物莫尔超晶格在优化接触和样品质量等方面存在的一些挑战,并展望该领域未来的发展.
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