Orbit-Transfer Torque Switching

作     者：Yeliang Wang 王业亮

作者机构：School of Integrated Circuits and ElectronicsMIIT Key Laboratory for Low-Dimensional Quantum Structure and DevicesBeijing Institute of TechnologyBeijing 100081China 

出 版 物：《Chinese Physics Letters》 (中国物理快报（英文版）)

年 卷 期：2022年第39卷第7期

页      面：1-2页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

主　　题：sizes magnetic desired 

摘      要：In the post-Moore era, memory devices with smaller sizes, lower energy consumption, and higher reliability are desired. As a classic type of non-volatile memory, magnetic random-access memory(MRAM)is outstanding, since it keeps data storage by magnetic states(electron spin) instead of electron charges.