980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

作     者：张莹 宋爱民 王培界 ZHANG Ying;SONG Ai-min;WANG Pei-jie

作者机构：重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 重庆教育学院图书馆重庆400067 重庆光电技术研究所重庆400060 

出 版 物：《重庆邮电大学学报（自然科学版）》 (Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications(Natural Science Edition))

年 卷 期：2012年第24卷第2期

页      面：212-216,221页

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：单量子阱 压应变 Al组分 金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD) 转换效率 

摘      要：对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术外延生长了激光器的材料,并进行测试。测试结果表明,在室温下,当工作电流为1 A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A(采用150μm×500μm,未镀膜器件),输出功率为400 mW。