短路电流阈值对IGBT元胞热特性影响的研究
Research on Influence of Short-circuit Current Threshold Value on Thermal Characteristics of IGBT Cells作者机构：中国空间技术研究院北京卫星制造厂北京100089
出 版 物：《新技术新工艺》 (New Technology & New Process)
年 卷 期：2022年第5期
页 面：39-44页
学科分类：080804[工学-电力电子与电力传动] 0808[工学-电气工程] 08[工学]
主 题：短路机理 IGBT退饱和 短路阈值时间 IGBT短路能量
摘 要：简述了大功率IGBT短路机理的类型,从IGBT元胞本身的电流负载特性出发,分析了短路工况下的芯片自热效应,指出了IGBT短路承受能力的限制因素。以英飞凌公司的FF1400R17IP4功率模块为例,通过对芯片实际尺寸的分析得到了短路保护时间的常规方案,对元胞级建模仿真使IGBT在短路大电流工况下高温失效区的研究得到了进一步细化,说明了IGBT元胞热效应与母线电压的相关性,为后续的研究提供了支撑。
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