先进光刻技术的发展历程与最新进展
Evolution and Updates of Advanced Photolithography Technology作者机构:复旦大学微电子学院上海201203
出 版 物:《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)
年 卷 期:2022年第59卷第9期
页 面:76-92页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
基 金:复旦大学引进人才科研启动项目(JIH1233018 JIH1233020)
摘 要:光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术,其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2~3μm缩小到先进的10~15 nm。在发展过程中,众多先进的技术不断涌现,如投影式光刻、相移掩模版、化学放大型光刻胶、光学邻近效应修正等,及时确保了摩尔法则按时向前推进。以投影光刻发展的历史为主线,从0.25μm到当今的5 nm再到未来的先进技术节点,对每个关键的技术节点的工艺要求与工艺窗口进行分析,包括采用的新技术及其作用,以展示光刻工艺与相关技术的整体面貌,给读者专业技术的参考。