非晶硅TFT强光稳定性的研究及改善
Study and Amelioration of the High-Brightness Stability of Amorphous Silicon TFT作者机构：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司广东深圳518132 北京大学深圳研究生院广东深圳518071
出 版 物：《现代信息科技》 (Modern Information Technology)
年 卷 期：2022年第6卷第2期
页 面：43-47页
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：深圳基础研究项目(JCYJ20200109140601691) 深港联合-协同创新专项(SGDX20190918105001787)
摘 要：随着显示产业的迅猛发展,大尺寸、宽色域、高动态范围(HDR)和高亮度给薄膜晶体管(TFT)面板带来了更大的挑战。经过测试,在40000 nit高亮度背光照明下,经过500小时照明,面板的充电能力衰减幅度高达13%。其机理与TFT结构密切相关,如栅极的功函数和栅极绝缘层(GI)的光学带隙(E_(g))。经研究,通过将GI层光学带隙从4.1 eV提升到4.7 eV,高亮度应力下衰减幅度从13%改善到了1%以下。
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