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光氯化反应脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷

Removal of methyldichlorosilane from trichlorosilane via photochemical chlorination

作     者:万烨 肖劲 严大洲 刘见华 Wan Ye;Xiao Jin;Yan Dazhou;Liu Jianhua

作者机构:中南大学冶金与环境学院湖南长沙410083 多晶硅制备技术国家工程实验室河南洛阳471000 洛阳中硅高科技有限公司河南洛阳471000 难冶有色金属资源高效利用国家工程实验室湖南长沙410083 

出 版 物:《精细化工》 (Fine Chemicals)

年 卷 期:2020年第37卷第1期

页      面:201-206,216页

核心收录:

学科分类:081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 

基  金:工信部工业强基工程项目(0714-EMTC02-5593/13) 河南省科技研发专项(174200510014) 郑洛新国家自主创新示范区创新引领型产业集群专项(181200212700). 

主  题:微通道 光氯化 三氯氢硅 甲基二氯硅烷 精细化工中间体 

摘      要:以三氯氢硅和氯气为原料,采用连续流微通道反应器,利用光氯化反应选择性脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷,考察了各因素对甲基二氯硅烷去除率的影响。结果表明,光氯化反应的最优条件为:n(Cl2)∶n(CH4Cl2Si)=5∶1,反应温度50℃,紫外光波长为365 nm,光强为15 W,反应时间为20 s。在最优条件下,产品中甲基二氯硅烷含量小于5×10–8 g/g,去除率达到99.67%;反应产物中出现少量四氯化硅,是聚氯硅烷和三氯氢硅发生氯化反应生成的。以最优条件制备的三氯氢硅为原料,使用评价炉制备的多晶硅中碳原子浓度小于3×1015 atoms/cm3,达到电子一级品指标。

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