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晶体生长理论的发展趋势与界面相模型

The Developing Tendency Towards the Theory of Crystal Growth and Interface-Phase Model

作     者:李国华 王大伟 张术根 黄志良 Li Guohua;Wang Dawei;Zhang Shugen;Huang Zhiliang

作者机构:中南大学资源环境与建筑工程学院长沙410083 

出 版 物:《现代技术陶瓷》 (Advanced Ceramics)

年 卷 期:2001年第22卷第1期

页      面:13-18页

学科分类:07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基  金:教育部博士点基金(98053301) 

主  题:晶体生长理论 发展趋势 界面相 模型 

摘      要:简要介绍了前人提出的晶体生长理论的要点及其优点与不足之处;在此基础之上提出了晶体生长理论的发展趋势及晶体生长所面临的基本科学问题;通过分析研究,作者认为晶体生长过程中,介于晶体相与环境相之间的界面相起着重要的作用;重点论述了界面相中的界面层、吸附层和过渡层与晶体生长的关系,并进一步提出了晶体生长的界面相模型。

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