自旋输运和巨磁电阻——自旋电子学的物理基础之一
Spin-polarized transport and giant magnetoresistance——a basic physical feature of spintronics作者机构：南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210093
出 版 物：《物理》 (Physics)
年 卷 期：2005年第34卷第5期
页 面：348-361页
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:10374046)资助项目
主 题：自旋电子学 物理基础 自旋输运 巨磁电阻效应 自旋极化输运 庞磁电阻效应 锰氧化物 磁多层结构 隧穿磁电阻 纳米结构 物理图像 磁隧道结 磁性 铁
摘 要：介绍磁性纳米结构和锰氧化物中电子的自旋极化输运和巨磁电阻效应,它们是新近发展的自旋电子学的物理基础之一.着重讨论的是以下三方面的基本物理图像:磁多层结构的巨磁电阻,铁磁隧道结的隧穿磁电阻,掺杂锰氧化物的庞磁电阻效应.
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