阴极弧等离子体沉积NbN薄膜

作     者：宋教花 张涛 侯君达 邓志威 李永良 Song Jiao-Hua;ZHANG Tao;HOU Jun-da;DENG Zhi-wei;LI Yong-liang

作者机构：北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京师范大学分析测试中心北京100875 

出 版 物：《真空》 (Vacuum)

年 卷 期：2001年第38卷第1期

页      面：28-31页

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

主　　题：等离子体沉积 动态离子束增强沉积 温度 氮化铌薄膜 硅 性能 制备 

摘      要：利用磁过滤等离子体沉积装置 ,结合金属等离子体沉积技术 ,在 Si基底上分别用动态离子束增强沉积和非增强沉积的方法来制备 Nb N膜 ,对二者予以比较 ,并探讨了非增强沉积过程中基底温度对 Nb N膜层的影响。温度升高使膜层中 N的含量先呈上升趋势 ,随后又稍微降低 ;温度升高促进晶粒生长 ,使晶粒尺寸变大 ,从室温到约 30 0℃的温度下得到的薄膜在 (2 2 0 )峰表现出很强的择优取向 ,5 0 0℃的沉积温度下 ,(2 2 0 )峰变的很弱 ,(2 0 0 )峰表现出择优取向 ,5 0 0℃时膜层中得到单一的 δ- Nb N相 ;表面形貌方面 ,温度越低 ,薄膜越不完整 ,在 5 0 0℃左右才能得到光滑完整的 Nb N膜。与非增强沉积相比 ,增强沉积不需加热 ,在低温下就能得到光滑致密的 Nb N膜 ,膜层中 N的含量更高 ,且没有明显的择优取向。