退火温度对Cr-Si压阻薄膜电性能的影响
Effects of annealing temperature on the electrical properties of Cr-Si piezoresistive thin films作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054
出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)
年 卷 期：2011年第30卷第11期
页 面：19-21页
学科分类：080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程]
主 题：Cr-Si-Ni-Ti 压阻薄膜 电阻温度系数 应变因子 电阻率
摘 要：采用射频磁控溅射法在氧化铝陶瓷基底上制备了Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜,研究了不同退火温度对薄膜电性能的影响。结果表明:在溅射态及退火温度低于600℃时,薄膜为非晶态。随着退火温度的升高,薄膜的电阻温度系数(TCR)逐渐增大,应变因子(GF)先增大后减小,室温电阻率(ρ)则逐渐降低。在退火温度为300℃时,Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜的电性能最好:TCR为–1.1×10–6/℃,GF为2.2,ρ为0.662?.cm。
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