石墨烯的晶格缺陷
Lattice Defects of the Graphene作者机构：昆明理工大学材料科学与工程学院昆明650093
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2014年第43卷第11期
页 面：2935-2942页
核心收录：
学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学]
基 金：国家自然科学基金(51363011) 教育部第46批留学归国科研启动基金 云南省高层次引进人才工作经费资助项目(10978125) 云南省人才培养项目(14118425) 昆明理工大学重点学科建设项目(14078232) 昆明理工大学先进电池膜电极材料方向团队(14078311)
摘 要：独特而完美的二维晶体结构赋予了石墨烯超高的比表面积、导电导热率和机械强度等诸多优异性能。然而在实际制备过程中,不可避免地会产生空位和含氧基团等晶格缺陷,从而使得这些性能指标大大低于理论值,故具有完美二维晶体结构的高质量石墨烯成了研究者竞相追求的目标。其实,任何事情都具有两面性,这些晶格缺陷同时也具备一些优点,如可以改善石墨烯的离子扩散系数、分离性能及反应活性等。本文客观而全面地综述了当前文献中石墨烯结构中的晶格缺陷对石墨烯性能的影响。
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