集成电路铜制程常见缺陷的分析
Defect Analysis of Cu Interconnect in IC Manufacturing作者机构：上海先进半导体制造股份有限公司上海201233
出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)
年 卷 期：2014年第53卷第2期
页 面：205-209页
核心收录：
学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术]
摘 要：概述了集成电路晶圆加工过程缺陷的基本常识,介绍了铜制程主要工艺流程及电镀过程步骤,对电镀过程相关的缺陷如漩涡缺陷、弹坑缺陷和鼠咬缺陷及其成因进行了分析,并对沟槽通孔内部空洞的形成原因进行了探讨.通过对缺陷的分析,结合实际生产经验,提出了相应的解决方法.
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