AlGaN基紫外激光器超晶格p型注入层研究

作     者：李呈盛 李洁璐 李书平 LI Chengsheng;LI Jielu;LI Shuping

作者机构：厦门大学物理科学与技术学院福建厦门361005 

出 版 物：《厦门大学学报（自然科学版）》 (Journal of Xiamen University：Natural Science)

年 卷 期：2022年第61卷第2期

页      面：202-206页

学科分类：1004[医学-公共卫生与预防医学(可授医学、理学学位)] 100401[医学-流行病与卫生统计学] 10[医学] 

基　　金：国家重点研发计划(2016YFB0400801 2016YFB0400800)。 

主　　题：AlGaN 紫外激光器 超晶格 p型注入层 

摘      要：AlGaN基紫外激光器(LD)已被广泛应用于生物、化学等领域,但目前还存在着诸如自发极化效应强烈、载流子注入效率低等问题,因此对于该类型LD的研究和改良十分重要.本文参考相关文献实验样品结构,采用PICS3D仿真软件,对不同结构的AlGaN基电注入边发射紫外LD进行仿真计算,在实验样品基础上提出了具有更加优异光电性能的超晶格p型层激光器结构,并通过比较能带结构、辐射复合率、电流分布等性质,进一步分析了激光器性能提升的机制.最终得到的优化后的紫外激光器具有更高的光输出功率、载流子注入、受激辐射复合率,更低的阈值电流、串联电阻、电子泄露等,实现了紫外激光器的性能提升.