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一种带瞬态增强电路的无电容型LDO

A Capacitorless LDO with Transient Response Enhancement

作     者:李江昆 杨汝辉 杨康 祝晓辉 甄少伟 罗萍 LI Jiangkun;YANG Ruhui;YANG Kang;ZHU Xiaohui;ZHEN Shaowei;LUO Ping

作者机构:电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

出 版 物:《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期:2012年第42卷第1期

页      面:54-57,62页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

基  金:国家"核高基"重大专项课题(2009ZX01031-003-003) 模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C0903091004) 

主  题:无电容型LDO 瞬态增强 摆率增强 

摘      要:设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路。相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易地进行频率补偿,在简化设计过程的同时,保证了较快的响应速度。

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