H在a-SiN_x:H光电导衰减中的作用
The Effect of H on the Photoconductivity Degradation of a-SiN_x:H作者机构：浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 滑铁卢大学物理系
出 版 物：《真空科学与技术》 (Vacuum Science and Technology)
年 卷 期：1997年第17卷第1期
页 面：7-11页
学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学]
基 金：国家教委留学回国人员科研启动基金
摘 要：在真空蒸发硅的同时，分别用N离子和NH3离子轰击生长表面，获得具有不同H和N含量的a－SiNx和a－SiNx：H薄膜。对于这些薄膜，只要它们具有光电导特性，就可以观察到光电导衰减现象。实验分析表明，H在光电导衰减中不起直接作用，而是通过增大a－SiNx：H的光学能隙，使陷阱更为有效；以及减少Si≡Si－复合中心，从而有可能提高非平衡自由或流子密度和增强电荷被陷的速率，而间接地增强光电导衰减。
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