新型同质结构远红外探测器(英文)
NOVEL HOMOJUNCTION FAR INFRARED DETECTORS作者机构：上海交通大学应用物理系上海200030 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083
出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期：2000年第19卷第3期
页 面：161-168页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
基 金：国家教育部优秀青年教师教学与科研奖励基金 国家自然科学基金!(编号 6960 60 0 6)资助&&
摘 要：从理论和实验两方面简要评述了 p- Ga As和 Si同质结界面功函数内光发射 (HIWIP)远红外 (40μm)探测器的最新发展 .重点讨论了此探测器的光响应机制和探测器性能 .结果表明 ,p- Ga As和 Si的
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