苯并三唑对铜/磷酸体系电化学腐蚀抑制作用

作     者：翟文杰 杨阳展 王景贺 闫茂振 王金虎 

作者机构：哈尔滨工业大学机电工程学院哈尔滨150001 

出 版 物：《哈尔滨工业大学学报》 (Journal of Harbin Institute of Technology)

年 卷 期：2012年第44卷第8期

页      面：67-72页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0802[工学-机械工程] 080201[工学-机械制造及其自动化] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50975058) 国家重点基础研究发展计划项目(2011CB013202) 

主　　题：电化学行为 铜 苯并三唑 磷酸 原子力显微镜 

摘      要：为确定苯并三唑(BTA)在铜的电解抛光液中的腐蚀抑制作用,研究铜在30%(质量分数)H3PO4+0.01 mol/L BTA抛光液中的电化学行为,测试铜在该抛光液中的极化曲线以及静态腐蚀量.应用原子力显微镜和能谱分析,观测不同阳极电势下静态腐蚀后的铜表面形貌并分析CuBTA膜的形成过程.结果表明,一定阳极电势范围下铜先行溶解,表面粗糙度加大,之后铜离子吸附BTA分子在表面逐渐形成CuBTA覆盖层,铜的溶解速度受到抑制,表面粗糙度稳定于一较低值.为保证CuBTA膜的形成,铜片所加的静态阳极电势应在0.5 V以下,本实验条件下形成稳定的CuBTA膜需要2 min.